Pėsčiomis treneris dizainas τάση υποστρώματος για mos susidurti Per Krituliai
3η ενότητα:
Παράδειγμα 3.2 Υπολογίστε την τάση threshold (VT0) όταν VSB=0, με πύλη πολυπυριτίου, n_type κανάλι MOS transistor με τις ακόλουθες παραμέτρους: Πυκνότητα. - ppt κατέβασμα
Ανάπτυξη προτύπου (model) για την ηλεκτρική συμπεριφορά διατάξεων MOS που βασίζονται σε οξείδια υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς
3.3V σε 5V αμφίδρομος μετατροπέας
Θεωρία Τρανζίστορ MOS - PDF ΔΩΡΕΑΝ Λήψη
Ο36- Ις C οtέλον
Template MS-Word 2013
MOS Capacitor: 5 ενδιαφέροντα γεγονότα που πρέπει να γνωρίζετε -
Λειτουργία και ανάλυση των Zero-VT MOS Τρανζίστορ
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Εισαγωγή στην Ηλεκτρονική
Ανάπτυξη και χαρακτηρισμός οξειδίων υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς σε διατάξεις MOS p-Ge